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LL103C-GS08
 型号:  LL103C-GS08
 标记/丝印/代码/打字:  
 厂家:  VISHAY
 封装:  SOD80/LL34
 批号:  08+ROHS1RM
 库存数量:  3000
 所属分类:  二极管Diodes
  肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes
    单管Single
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LL103C-GS08  的参数

反向电压Vr Reverse Voltage 20V
平均整流电流Io AVerage Rectified Current 350mA/0.35A
最大正向压降VF Forward Voltage(Vf) 600mV/0.6V
最大耗散功率Pd Power dissipation 400MW/0.4W
Description & Applications The LL103A, B, C is a metal-on-silicon Schottky barrier device which is protected by a PN junction guard ring. The low forward voltage drop and fast switching make it ideal for protection of MOS devices, steering, biasing and coupling diodes for fast switching and low logic level applications. Other applications are click suppression, efficient full wave bridges in telephone subsets, and blocking
描述与应用 LL103A,B,C是一个金属硅肖特基势垒装置是由一个PN结保护环保护。 低正向压降和快速开关使其保护MOS器件的理想选择,转向,偏置和耦合二极管快速开关,低逻辑电平的应用。其他应用是点击抑制,高效在电话的子集,全波桥??和阻塞
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
LL103 FRANCE 05+ SOD80/LL34 1800 二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single 查看
LL103A-07 FRANCE 05+ SOD80/LL34 3100 二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single 查看
LL103C-07 CENTRAL 05+ SOD80/LL34 0 二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single 查看
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LL103C-GS08 VISHAY 08+ROHS1RM SOD80/LL34 3000 二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single 查看
LL103C-GS08 VISHAY 08+rohs LL34 0 二极管Diodes-其它Other 查看

 

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