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BB501MAS-TL
 型号：  BB501MAS-TL
 标记/丝印/代码/打字：  AS-
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-143/MPAK-4
 批号：  05+
 库存数量：  45000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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BB501MAS-TL AS- 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 6V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 6V
最大漏极电流Id Drain Current 20mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Built in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. ?High gain; (PG = 29 dB typ. at f = 200 MHz) ?Low noise characteristics; (NF = 1.2 dB typ. at f = 200 MHz) ?Wide supply voltage range; Applicable with 5V to 9V supply voltage. ?Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions. ?Provide mini mold packages; CMPAK-4(SOT-343mod)
描述与应用 内置偏置电路降低零部件的成本与PC板空间。 ?高增益; （PG= 29 dB典型值在f=200兆赫）。 ?低噪音特点; （NF=1.2 dB（典型值），在f=200兆赫） ?宽电源电压范围; 适用9V电源电压5V。 ?耐静电; 内置ESD吸收二极管。承受高达200V在C = 200pF，Rs = 0条件。 ?提供小型模具包; CMPAK-4（SOT-343mod）
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