DSC200100L C1 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
210~460 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
300mV/0.3V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Silicon NPN epitaxial planar type For general ampli?cation Complementary to DSA2001 Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Eco-friendly Halogen-free package |
| 描述与应用 |
NPN硅外延平面型 对于一般的放大 DSA2001的补充 低集电极 - 发射极饱和电压VCE（星期六） 高正向电流传输比HFE具有优异的线性度 环保型无卤素封装 |
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