BFR93AW R2 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
12V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
6Ghz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50~200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
NPN 5 GHz wideband transistor FEATURES High power gain Gold metallization ensures excellent reliability SOT323 (S-mini) package. APPLICATIONS It is designed for use in RF amplifiers,mixers and oscillators with signal frequencies up to 1 GHz |
| 描述与应用 |
5 GHz的宽带晶体管NPN 特点 高功率增益 黄金金属确保卓越的可靠性 SOT323封装（S-迷你）。 应用 它是专为使用的RF放大器，混频器和振荡器的信号频率高达1 GHz |
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