BF550 LA 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?25mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
375MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
15 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-10V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
110mW/0.11W |
| Description & Applications |
PNP medium frequency transistor FEATURES ? Low current (max. 25 mA) ? Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS ? Medium frequency applications in thick and thin film circuits. DESCRIPTION PNP medium frequency transistor in a SOT23 plastic package. |
| 描述与应用 |
PNP中频晶体管功能 ?低电流（最大25毫安） ?低电压（最大40 V）。 应用 ?中频应用中厚膜和薄膜 电路。 说明 PNP中频晶体管在SOT23塑料 包。 |
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