BSP31 BSP31 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-90V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?80V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1.5W |
| Description & Applications |
PNP silicon transistor，in a microminiature plastic envelope ，intended for medium power switching and general purpose amplifier application in trick and thin-film circuits |
| 描述与应用 |
PNP硅晶体管，在一个超小型的塑料外壳，适用于中等功率开关和通用放大器应用在特技和薄膜电路 |
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