|
|
|
型号: |
MMBF170-7 |
标记/丝印/代码/打字: |
K6Z |
厂家: |
DIODES |
封装: |
SOT-23/SC-59 |
批号: |
05+ |
库存数量: |
2750 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
技术文档PDF: |
在线阅读 |
|
|
在线购买 |
|
|
|
|
MMBF170-7 K6Z 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
500mA/0.5A |
源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.05Ω/Ohm @200mA,10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
0.8-3.0V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
Description & Applications |
Power MOSFET 500 mA, 60 V N?Channel SOT?23 Features High density cell design for low RDS(ON) .Voltage controlled small signal switch. Rugged and reliable. High saturation current capability. |
描述与应用 |
功率MOSFET 500毫安,60 V N沟道SOT-23 高密度电池设计的低RDS(ON) 电压控制小信号开关 坚固,可靠。 高饱和电流能力 |
技术文档PDF下载 |
在线阅读 |
|
|
|
|
相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
MMBF170 |
6Z |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
2820 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
MMBF170LT1 |
6Z |
ON |
03+ |
SOT-23/SC-59 |
21550 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
MMBF170LT1 |
6Z |
ON |
03+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
MMBF170-7 |
K6Z |
DIODES |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
2750 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
MMBF170 |
6Z |
FAIRCHILD |
10+ROHS |
SOT-23 |
0 |
场效应管FET-其它Other |
查看 |
MMBF170 |
6Z |
NATIONAL |
03+ |
SOT-23/SC-59 |
800 |
场效应管FET |
查看 |
|
|
|