55GN01F ZD 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
10V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
70mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
5.5GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~160 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF Wide-band Low-noise Amplifier Applications Features ? High cut-off frequency : fT= 5.5GHz typ. ? High gain : ?S21e?2 =11dB typ (f=1GHz). =19dB typ (f=400MHz). ? Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim. |
| 描述与应用 |
NPN平面外延硅晶体管 UHF宽带低噪声放大器应用 特点 ?高截止频率：：FT =5.5GHZ典型。 ?高增益：?S21E?2 =11分贝典型值（F =1GHz的）。 =19分贝典型值（F =400MHZ）。 ?超小封装允许设置小而纤细。 |
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