2SB1386 BHR 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
120MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
180~390 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-1000mV/-1V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
PNP Silicon epitaxial planar transistor Low Frequency Transistor Feature 1) Low VCE(sat). 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 |
| 描述与应用 |
PNP硅外延平面晶体管 低频晶体管 特点 1）低VCE（sat）的。 2）优秀DC电流增益特性。 3）补充2SD2098 |
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