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型号: |
FDN352AP |
标记/丝印/代码/打字: |
52ap |
厂家: |
FAIRCHILD |
封装: |
SOT-23/SC-59 |
批号: |
06nopb |
库存数量: |
0 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
技术文档PDF: |
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FDN352AP 52ap 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
25V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-1.3A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.15Ω @-1.3A,-10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.8--2.5V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
Description & Applications |
High performance trench technology for extremely low RDS(ON) .High power version of industry Standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. |
描述与应用 |
高性能沟道技术极低 RDS(ON) 行业标准SOT-23封装的高功率版本。 相同的引脚SOT-23的30%更高的功率处理能力 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
FDN352AP |
52AP |
FAIRCHILD |
06+ |
SOT-23/SC-59 |
374 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
FDN357N |
357 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
FDN358P |
358 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
1830 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
FDN359AN |
359 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
460 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
FDN357N |
357 |
FAIRCHILD |
08+NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
FDN359AN |
359 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
FDN352AP |
52ap |
FAIRCHILD |
06nopb |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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