MP6K61FU7 MP6K61 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
77m?@ VGS =4V, ID =5A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1~2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
4V Drive Nch+Nch MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. Application Switching |
| 描述与应用 |
4V驱动N沟道+ N沟道MOSFET 特点 1）低导通电阻。 2）内置G-S的保护二极管。 应用 交换 |
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