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WPM2301-3/TR
 型号：  WPM2301-3/TR
 标记/丝印/代码/打字：  WT1
 厂家：  GLOBALTECH
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  09NOPB
 库存数量：  300
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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WPM2301-3/TR WT1 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.055Ω @-3A,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.0--2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 2.5W
Description & Applications Low on-state resistance : Rds (on) = 0.065? ( Vgs = -10V ) Rds (on) = 0.11? ( Vgs = -4.5V ) Ultra high-speed switching Operational Voltage : -4.5V High density mounting : SOP - 8
描述与应用 低通态电阻：RDS（ON）=0.065Ω（VGS=-10V） RDS（ON）=0.11Ω（VGS=-4.5V） 超高速开关 工作电压：4.5V 高密度安装：SOP - 8
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