S9015 M6 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?100mA/-0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~1000 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Complementary To S9014. Lead-free Excellent HFE Linearity. APPLICATIONS Low frequency , low noise amplifier. |
| 描述与应用 |
硅外延平面晶体管 特点 互补S9014。 无铅 优秀HFE线性。 应用 低频率，低噪声放大器。 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
