FMMT591TA 591 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?60V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-295mV/-0.295V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Medium power PNP transistor Features ? VCE(sat)maximum specification reduction ? Reverse blocking specification improvement Applications ? MOSFET gate driving ? Power switches ? Motor control |
| 描述与应用 |
中等功率PNP晶体管 特点 ?VCE（sat）的最大规格降低 ?反向阻断规范改进 应用 ?MOSFET栅极驱动 ?电源开关 ?电机控制 |
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