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2SK3663
 型号：  2SK3663
 标记/丝印/代码/打字：  G26
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  07NOPB
 库存数量：  1100
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK3663 G26 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.38Ω/Ohm @300mA,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING Features N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING 2.5 V drive available Low on-state resistance RDS(on)1 = 0.57 ? MAX (VGS = 4.5 V, ID = 0.30 A) RDS(on)2 = 0.60 ? MAX (VGS = 4.0 V, ID = 0.30 A) RDS(on)3 = 0.88 ? MAX (VGS = 2.5 V, ID = 0.15 A)
描述与应用 MOS场效应晶体管 N-沟道MOS场效应晶体管的开关 特性 N沟道MOS场效应晶体管 用于开关 2.5 V驱动器可用 低通态电阻 的RDS（on）= 0.57ΩMAX（VGS= 4.5 V，ID=0.30 A） RDS（on）=0.60Ω最大（VGS=4.0 V，ID=0.30） RDS（on）3= 0.88ΩMAX（VGS= 2.5V，ID=0.15 A）
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