2SK3663 G26 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
500mA/0.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.38Ω/Ohm @300mA,4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5-1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING Features N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING 2.5 V drive available Low on-state resistance RDS(on)1 = 0.57 ? MAX (VGS = 4.5 V, ID = 0.30 A) RDS(on)2 = 0.60 ? MAX (VGS = 4.0 V, ID = 0.30 A) RDS(on)3 = 0.88 ? MAX (VGS = 2.5 V, ID = 0.15 A) |
| 描述与应用 |
MOS场效应晶体管 N-沟道MOS场效应晶体管的开关 特性 N沟道MOS场效应晶体管 用于开关 2.5 V驱动器可用 低通态电阻 的RDS（on）= 0.57ΩMAX（VGS= 4.5 V，ID=0.30 A） RDS（on）=0.60Ω最大（VGS=4.0 V，ID=0.30） RDS（on）3= 0.88ΩMAX（VGS= 2.5V，ID=0.15 A） |
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