SI1501DL rn 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V/-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V/8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
250mA/-180mA |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
2?@ VGS =4.5V, ID =250mA/3.8?@ VGS =-4.5V, ID =-180mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.4~1.5V/-0.4~-1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET |
| 描述与应用 |
互补的20-V（D-S） 低阈值MOSFET |
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