PBSS5240T ZF 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
450 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-350mV/-0.35V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
480mW/0.48W |
| Description & Applications |
40 V low VCE(sat) PNP transistor FEATURES ? Low collector-emitter saturation voltage ? High current capability ? Improved device reliability due to reduced heat generation ? Enhanced performance over SOT23 1A standard packaged transistor. ? SOT23 plastic package. ? NPN complement: PBSS4240T. APPLICATIONS ? Supply line switching circuits ? Battery management applications ? DC/DC converter applications ? Strobe flash units ? Heavy duty battery powered equipment (motor and lamp drivers). |
| 描述与应用 |
40伏的低VCE（sat）的PNP晶体管 特点 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?高电流能力 ?提高设备的可靠性，由于产生的热量减少 ?增强的性能超过SOT231A标准包装的晶体管。 ?SOT23塑料包装。 ?NPN补充：PBSS4240T。 应用 ?供电线路开关电路 ?电池管理应用 ?DC / DC转换器应用 ?闪光灯单元 ?重型电池供电设备（电机和灯驱动器）。 |
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