MTM78E2B0LBFTR-ND 5A 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
36m?@ VGS =2.5V, ID =1A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.4~1.3V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
700mW/0.7W |
| Description & Applications |
For lithium-ion secondary battery protection circuit Feature Dual P-channel MOS FET in one package 2.85V drive Low drain-source ON resistance Eco-friendly Halogen-free package |
| 描述与应用 |
对于锂离子二次电池的保护电路 特点 双P沟道MOS场效应管在一个封装中 2.85V驱动 低漏源导通电阻 环保型无卤素封装 |
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