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MTM78E2B0LBFTR-ND
 型号：  MTM78E2B0LBFTR-ND
 标记/丝印/代码/打字：  5A
 厂家：  Panasonic
 封装：  WMini8-F1
 批号：  09+NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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MTM78E2B0LBFTR-ND 5A 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 4A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 36m?@ VGS =2.5V, ID =1A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.4~1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation 700mW/0.7W
Description & Applications For lithium-ion secondary battery protection circuit Feature Dual P-channel MOS FET in one package 2.85V drive Low drain-source ON resistance Eco-friendly Halogen-free package
描述与应用 对于锂离子二次电池的保护电路 特点 双P沟道MOS场效应管在一个封装中 2.85V驱动 低漏源导通电阻 环保型无卤素封装
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