MTM6841109SO 1D 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-4.8A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
60m?@ VGS = -1.8V, ID = -200mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.3~-1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
For load switch circuits For switching circuits Feature Dual P-channel MOS FET in one package Low drive voltage:1.8V drive |
| 描述与应用 |
对于负载开关电路 对于开关电路 特点 双P沟道MOS场效应管在一个封装中 低驱动电压：1.8V驱动 |
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