NTZD3154NT1G TV 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
6V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
540mA/0.54A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
900m?@ VGS =1.8V, ID =350mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.45~1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
Small Signal MOSFET Features ? Low RDS(on) Improving System Efficiency ? Low Threshold Voltage ? Small Footprint 1.6 x 1.6 mm ? ESD Protected Gate ? These are Pb?Free Devices Applications ? Load/Power Switches ? Power Supply Converter Circuits ? Battery Management ? Cell Phones, Digital Cameras, PDAs, Pagers, etc |
| 描述与应用 |
小信号MOSFET 特点 ?低RDS（ON）提高系统效率 ?低阈值电压 ?小尺寸1.6×1.6毫米 ?ESD保护门 ?这些都是Pb-Free设备 应用 ?负载/功率开关 ?电源转换器电路 ?电池管理 手机，数码相机，掌上电脑，传呼机等 |
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