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FDC658P
 型号：  FDC658P
 标记/丝印/代码/打字：  658
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-163/SOT23-6
 批号：  05+
 库存数量：  6000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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FDC658P 658 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -4A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.041Ω @-4A,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1--3V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.6W
Description & Applications ? Rugged gate rating (±12V). ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ? SuperSOT TM-6 package: small footprint (72% smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick).
描述与应用 ?坚固的门评级（±12V）。 ?高性能沟道技术极低的RDS（ON） ?的SuperSOT TM-6包装：占地面积小（小72％ 比标准的SO-8）;低调（1mm厚）
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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