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UP05C8BG0L
 型号:  UP05C8BG0L
 标记/丝印/代码/打字:  4F
 厂家:  Panasonic
 封装:  SOT-563/SSMini6-F1
 批号:  08NOPB
 库存数量:  8000
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    FET+BJT
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UP05C8BG0L 4F 的参数

FET类型 Type JFET N-Channel
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 40V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -40V
最大漏极电流Id Drain Current 10mA
源漏极导通电阻Rds(on) Drain-Source On-State Resistance
跨导 Forward Transfer Admittance
IDSS(Vgs=0V) 3.5mA~5.5mA
开启电压Vgs(th)/关断电压Vgs(off) Gate-Source Threshold/Cut-off Voltage
BJT 类型 Type NPN
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 20V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 15mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 640MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 65~160
耗散功率Pd Power Dissipation 125mW/0.12W
Description & Applications Silicon NPN epitaxial planar type Silicon epitaxial planar type(CCD load device) FOR CCD output circuits Basic Part Number:2SC3931+CCD load device
描述与应用 NPN硅外延平面型 硅外延平面型(CCD负载设备) CCD输出电路 基本型号:2SC3931+ CCD负载设备
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