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SCH2830-S-TL-E
 型号:  SCH2830-S-TL-E
 标记/丝印/代码/打字:  XF
 厂家:  SANYO
 封装:  SOT-563/SCH6
 批号:  08NOPB
 库存数量:  4000
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET+DIODE
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SCH2830-S-TL-E XF 的参数

MOSFET 类型 Type P沟道 P-Channel
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -10V
最大漏极电流Id Drain Current -1A
源漏极导通电阻Rds(on) Drain-Source On-State Resistance 500m?@ VGS =-4V, ID =-500mA
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.4~-1.4V
DIODE 类型 Type 肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes
反向电压Vr Reverse Voltage 30V
平均整流电流Io Average Rectified Current 700mA/0.7A
最大正向压降VF Forward Voltage(Vf) 0.48V@IF=500mA
耗散功率Pd Power Dissipation 600mW/0.6W
Description & Applications MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode Features Composite type with a P-channel sillicon MOSFET and a Schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting. [MOSFET] ?Low ON-resistance. ?Ultrahigh-speed switching. ?1.8V drive. [SBD] ? Short reverse recovery time. ?Low forward voltage.
描述与应用 MOSFET:P沟道硅MOSFET SBD:肖特基二极管 特点 复合型的P-通道硅MOSFET和肖特基势垒二极管中包含一个包装促进高密度安装。 [MOSFET] ?低导通电阻。 ?超高速开关。 ?1.8V驱动。 [SBD] ?反向恢复时间短。 ?低正向电压。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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