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UP04401G08S0
 型号：  UP04401G08S0
 标记/丝印/代码/打字：  5K
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-563
 批号：  08NOPB
 库存数量：  408000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    PNP+PNP
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UP04401G08S0 5K 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 80MHz
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 180~390
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio -300mV
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 125mW
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) Features ? Silicon PNP epitaxial planar type ? Two elements incorporated into one package (Each transistor is separated) ? Reduction of the mounting area and assembly cost by one half ? For general ampli?cation
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 特点 ?PNP硅外延平面型 ?两个要素纳入一个包（每个晶体管分离） ?减少安装面积和装配成本的一半 ?对于一般的放大
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications
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