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BC857BS
 型号:  BC857BS
 标记/丝印/代码/打字:  3f
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-363/SC-88
 批号:  06+rohs
 库存数量:  6000
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    PNP+PNP
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BC857BS 3f 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -45V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 100MHz
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 200~450
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio -400mV
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 200mW
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) Features ? PNP general purpose double transistor ? Low collector capacitance ? Low collector-emitter saturation voltage ? Closely matched current gain ? Reduces number of components and board space ? No mutual interference between the transistors. APPLICATIONS ? General purpose switching and amplification.
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 特点 ?PNP通用双晶体管 ?低集电极电容 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?紧密匹配的电流增益 ?减少元件数量和电路板空间 ?晶体管之间没有相互干扰。 应用 ?通用开关和放大。
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications
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