AAT9125IAS-T1 GA6V 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1.25A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
11.5m?@ VGS = 4.5V,ID = 10A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2.5W |
| Description & Applications |
N-Channel Power MOSFET Feature Low Rds(ON) Applications ? DC-DC converters for mobile CPUS ? Battery-powered portable equipment ? High power density switch-mode supplies ? point-of-use power supplies |
| 描述与应用 |
N沟道功率MOSFET 特点 低RDS（ON） 应用 ?移动CPU的DC-DC转换器 ?电池供电的便携式设备 ?高功率密度开关模式电源 ?使用点电源 |
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