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AAT9125IAS-T1
 型号:  AAT9125IAS-T1
 标记/丝印/代码/打字:  GA6V
 厂家:  ANALOGIC
 封装:  SOIC8/SOP8
 批号:  06NOPB
 库存数量:  3964
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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AAT9125IAS-T1 GA6V 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 1.25A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 11.5m?@ VGS = 4.5V,ID = 10A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1V
耗散功率Pd Power Dissipation 2.5W
Description & Applications N-Channel Power MOSFET Feature Low Rds(ON) Applications ? DC-DC converters for mobile CPUS ? Battery-powered portable equipment ? High power density switch-mode supplies ? point-of-use power supplies
描述与应用 N沟道功率MOSFET 特点 低RDS(ON) 应用 ?移动CPU的DC-DC转换器 ?电池供电的便携式设备 ?高功率密度开关模式电源 ?使用点电源
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