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EMB19
 型号:  EMB19
 标记/丝印/代码/打字:  B19
 厂家:  ROHM
 封装:  SOT-563/EMT6
 批号:  04NOPB
 库存数量:  16000
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    PNP+PNP
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EMB19 B19 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -30mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 100KΩ/Ohm
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100KΩ/Ohm
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 1
耗散功率Pc Power Dissipation 100KΩ/Ohm
Description & Applications 100KΩ/Ohm
描述与应用 1
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EMB1 B1 ROHM 05+ SOT-563/EMT6 8000 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) 查看

 

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