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型号: |
SI2307BDS |
标记/丝印/代码/打字: |
L7 |
厂家: |
VISHAY |
封装: |
SOT-23/SC-59 |
批号: |
06+NOPB |
库存数量: |
0 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
技术文档PDF: |
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SI2307BDS L7 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
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最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
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最大漏极电流Id
Drain Current |
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源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.061Ω @-3.2A,-10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
2.1V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.25W |
Description & Applications |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET P-Channel Vertical DMOS Macro Model (Subcircuit Model) Level 3 MOS |
描述与应用 |
P沟道30-V(D-S)的MOSFET P沟道垂直DMOS 宏模型(子电路模型) 级别3 MOS |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
SI2307DS |
A7 |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SI2307DS |
R7 |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
700 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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SI2307DS |
A7 |
VISHAY |
07+NOPB1500 |
SOT-23/SC-59 |
1588 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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SI2307BDS |
L7 |
VISHAY |
06+NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SI2307BDS |
L7 |
VISHAY |
06+NOPB |
SOT-23/SC-59 |
200 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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SI2307DS-T1-E3 |
A7 |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
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