SI1900DL-T1-E3 PBS 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
590mA/0.59A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
700m?@ VGS =4.5V, ID =200mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
270mW/0.27W |
| Description & Applications |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| 描述与应用 |
双N沟道30-V（D-S）的MOSFET |
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