PRF947 vo 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
10V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
8.5Ghz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
UHF wideband transistor FEATURES ? Small size ? Low noise ? Low distortion ? High gain ? Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS ? Communication and instrumentation systems. DESCRIPTION Silicon NPN transistor in a surface mount 3-pin SOT323 package. The transistor is primarily intended for wideband applications in the GHz-range in the RF front end of analog and digital cellular telephones, cordless phones, radar detectors, pagers and satellite TV-tuners. |
| 描述与应用 |
UHF宽带晶体管 特点 ?小尺寸 ?低噪音 ?低失真 ?高增益 ?黄金金属确保卓越的可靠性。 应用 ?通信和仪器仪表系统。 说明 硅NPN晶体管在一个表面贴装3引脚SOT323 包。晶体管主要用于宽带 在GHz的范围内的应用中的模拟RF前端 和数字蜂窝电话，无绳电话，雷达 探测器，传呼机和卫星电视调谐器。 |
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