MMBT1815 C4G 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150mA/0.15A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
80MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~700 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV~250mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
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| Description & Applications |
HIGH FREQUENCY NPN AMPLIFIER TRANSISTOR *Collector-Emitter Voltage: BVCEO=50V *Collector current up to 150mA *High hFE linearity *Complement to MMBT1015 |
| 描述与应用 |
高频NPN晶体管功放的 *集电极 - 发射极电压： ????BVCEO= 50V *集电极电流高达150mA *高HFE线性 *补充MMBT1015 |
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