BSP50 BSP50 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-EmitterVoltage(VCEO) |
45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
4A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
2000 @ 10V,0.5A |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
1.3V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1.25W |
| Description & Applications |
? High current (max. 1 A) ? Low voltage (max. 80 V) ? Integrated diode and resistor. ? Industrial high gain amplification. ? NPN Darlington transistor in a SOT223 plastic package. ? PNP complements: BSP60. |
| 描述与应用 |
?高电流（最大1 A） ?低电压（最大80 V） ?集成的二极管和电阻。 ?工业高增益放大。 ?NPN达林顿晶体管在SOT223塑料包装。 ?PNP补充：BSP60。 |
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