RJJ0102DQM-ELEHS TG 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.9Ω @-200mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0--2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Features Low On-resistance. Small package (EMT3). 4V drive. |
| 描述与应用 |
低导通电阻。 小型封装（EMT3）。 4V驱动器。 |
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