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RJJ0102DQM-ELEHS
 型号：  RJJ0102DQM-ELEHS
 标记/丝印/代码/打字：  TG
 厂家：  RENESAS
 封装：  SOT-363/SC70-6/CMFPAK - 6)
 批号：  07NOPB
 库存数量：  2600
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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RJJ0102DQM-ELEHS TG 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -2A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.9Ω @-200mA,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.0--2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Features Low On-resistance. Small package (EMT3). 4V drive.
描述与应用 低导通电阻。 小型封装（EMT3）。 4V驱动器。
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