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KTX111T
 型号:  KTX111T
 标记/丝印/代码/打字:  BY
 厂家:  KEC
 封装:  SOT-163/TS6
 批号:  05+NOP
 库存数量:  0
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+PNP
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KTX111T BY 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 35V/-35V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 30V/-30V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 500mA/-500mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 300MHz/200MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 70~240
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 100mV/-100mV
耗散功率Pc Power Dissipation 200mW
Description & Applications Features ?EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR ?Including two devices in TS6.(Thin Super Mini type with 6 pin) ?Simplify circuit design. ?Reduce a quantity of parts and manufacturing process. ?GENERAL PURPOSE APPLICATION.
描述与应用 特点 ?外延平面NPN/ PNP晶体管 ?包括两个设备(薄超级迷你型6针)TS6。 ?简化电路设计。 ?减少了部件数量和制造工艺。 ?通用应用。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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KTX101U-GR-RTK B6 KEC 05+ SOT-363/US6 0 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-复合三极管Complex Bipolar Transistor-NPN+PNP 查看
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