MAS3795EGL M3 的参数 |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
30V |
| 平均整流电流Io
AVerage Rectified Current |
20mA |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
1V |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
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| Description & Applications |
?Schottky Barrier Diodes (SBD) ?Silicon epitaxial planar type ?For high-speed switching circuits ?Optimum for high frequency rectification because of its short reverse recovery time (trr) ?Low forward voltage VF optimum for low voltage rectification VF= < 0.3 V (at IF= 1 mA) ?SSS-Mini type 3-pin package ?Common cathode Schottky Barrier diode |
| 描述与应用 |
?肖特基势垒二极管（SBD） ?硅外延平面型 ?超高速开关 ?因为其反向恢复时间短（TRR）所以适用于高频率整流 ?低正向电压VF和良好的整流电压VF= < 0.3 V（IF= 1 mA) ?SSS迷你型3引脚封装 ?共阴极肖特基二极管 |
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