2SK1109 J36 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20v |
| 栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage |
-20v |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current |
0.2~0.45ma |
| 关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage |
-0.1~1v |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
80mw |
| Description & Applications |
?N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR ?Compact package ? High forward transfer admittance 1000 μS TYP. (IDSS = 100 μA) 1600 μS TYP. (IDSS = 200 μA) ? Includes diode and high resistance at G - S |
| 描述与应用 |
?N沟道硅结型场效应晶体管 ?小型封装 ?高正向转移导纳 1000μs典型值。 （IDSS= 100μA） 1600μs典型值。 （IDSS= 200μA） ?包括二极管和高阻力在G ??- S |
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