LBC807-25LT1G 5B 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?500mA/-0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
160~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?700mV/-0.7V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
225mW/0.225W |
| Description & Applications |
PNP epitaxial planar transistor General Purpose Transistors FEATURE General purpose switching and amplification. NPN complement: LBC817 Series. Pb-Free Package is available |
| 描述与应用 |
PNP外延平面晶体管 通用晶体管 特写 通用的开关和放大。 NPN补充：LBC817系列。 无铅封装 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
