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STK7002 K702 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
115mA/0.115A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
3,2Ω/Ohm @50mA,5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Features ·High density cell design for low RDS(ON) Voltage controlled small signal switch High saturation current capability. |
| 描述与应用 |
高密度电池设计的低RDS（ON） ·电压控制小信号开关 ·高饱和电流能力 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| STK7002 |
K702 |
AUK |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
2940 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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