SI5855DC JB 的参数 |
| MOSFET 类型
Type |
P沟道 P-Channel |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2.7A |
| 源漏极导通电阻Rds(on)
Drain-Source On-State Resistance |
110m?@ VGS =-4.5V, ID =-2.7A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.45~-1.0V |
| DIODE 类型
Type |
肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
20V |
| 平均整流电流Io
Average Rectified Current |
1A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.375V@IF=1A |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.1W |
| Description & Applications |
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode FEATURES Trench FET Power MOSFETS Ultra Low VfSchottky Si5853DC Pin Compatible APPLICATIONS Charging Circuit in Portable Devices |
| 描述与应用 |
1.8-V（G-S）P沟道MOSFET与肖特基二极管 特点 沟槽FET功率MOSFET 超低VfSchottky的 SI5853DC引脚兼容 应用 便携式设备的充电电路 |
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