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MMBR5031LT1
 型号:  MMBR5031LT1
 标记/丝印/代码/打字:  QY
 厂家:  LRC
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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MMBR5031LT1 QY 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 15V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 10V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 20mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 1GHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 25~300
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications The RF Line NPN Silicon High-Frequency TRANSISTOR Designed for thick and thin–film circuits using surface mount components and requiring low–noise, high–gain signal amplification at frequencies to 1.0 GHz. ? High Gain — Gpe = 17 dB Typ @ f = 450 MHz ? Low Noise — NF = 2.5 dB Typ @ f = 450 MHz ? Available in tape and reel packaging options: T1 suffix = 3,000 units per reel
描述与应用 RF线NPN硅 高频三极管 专为使用表面贴装元件的厚薄膜电路 需要低噪声,高增益信号放大在频率1.0 千兆赫。 ?高增益 - GPE=17 dB(典型值)@ F =450兆赫 ?低噪声 - NF=2.5 dB(典型值)@ F =450兆赫 ?可在磁带和卷轴包装选择: T1后缀=3000单位每卷
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