V30324-T1-E3 PAB 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
700mA/0.7A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
385m?@ VGS = 4.5V, ID = 660mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.6~1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFETS: 2.5 V Rated |
| 描述与应用 |
双N沟道20-V（D-S）的MOSFET 特点 ?TrenchFET?功率MOSFET：2.5 V额定 |
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