UPD431000AGW 的参数 |
| 存储器格式
Format - Memory |
EEPROMs - 串行 EEPROMs - Serial |
| 存储器类型
Memory Type |
EEPROM |
| 存储容量
Memory Size |
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| 速度
Speed |
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| 接口
Interface |
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| 电源电压
Voltage - Supply |
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| Description & Applications |
MOS INTEGRATED CIRCUIT 1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT Description The μPD431000A is a high speed, low power, and 1,048,576 bits (131,072 words by 8 bits) CMOS static RAM. The μPD431000A has two chip enable pins (/CE1, CE2) to extend the capacity. And battery backup is available. In addition to this, A and B versions are low voltage operations. The μPD431000A is packed in 32-pin PLASTIC DIP, 32-pin PLASTIC SOP and 32-pin PLASTIC TSOP (I) (8 × 13.4 mm) and (8 × 20 mm). Features ? 131,072 words by 8 bits organization ? Fast access time: 70, 85, 100, 120, 150 ns (MAX.) ? Low voltage operation (A version: VCC = 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V) ? Operating ambient temperature: TA = 0 to 70 °C ? Low VCC data retention: 2.0 V (MIN.) ? Output Enable input for easy application ? Two Chip Enable inputs: /CE1, CE2 |
| 描述与应用 |
MOS集成电路 1M-BIT的CMOS静态RAM 128K-WORD8位 描述 μPD431000A是一种高速，低功耗，1,048,576位（131,072词的8 bits）CMOS静态RAM。 μPD431000A有两个芯片使能引脚（/ CE1，CE2）扩展容量。和电池备份是可用的。在 此外，A和B版本的低电压操作。 μPD431000A是装在32引脚塑料DIP，32引脚塑料SOP和32引脚塑料TSOP（I）（8×13.4 毫米）和（8×20毫米）。 特点 ?131,072词的8位组织 ?快速存取时间：70，85，100，120，150纳秒（最大值） ?低电压工作（版本：VCC=3.0至5.5 V，B版本：VCC=2.7至5.5 V） ?工作环境温度：TA= 0到70°C ?低VCC数据保留：2.0 V（最小） ?输出使能输入，便于应用 ?两个芯片使能输入/ CE1，CE2 |
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