UPA891TD H 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
9V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
5.5V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
6500MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
210mW |
| Description & Applications |
Features ? NEC's NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR ? LOW VOLTAGE, LOW CURRENT OPERATION ? SMALL PACKAGE OUTLINE:1.2 mm x 0.8 mm ? LOW HEIGHT PROFILE:Just 0.50 mm high ? TWO LOW NOISE OSCILLATOR TRANSISTORS:NE851 ? IDEAL FOR 1-3 GHz OSCILLATORS |
| 描述与应用 |
特点 ?NEC的双晶体管NPN硅RF ?低电压，低电流操作 ?小型封装：1.2毫米x0.8毫米 ?外形高度低：仅0.50毫米高 ?两个低噪声振荡器晶体管：NE851 ?适用于1-3 GHz的振荡器 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
