UPA862TD Y 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
9V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
6V/5.5V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
30mA/100mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
12000MHz/6500MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
110/112 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
210mW |
| Description & Applications |
Features ? NEC's NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR ? LOW VOLTAGE, LOW CURRENT OPERATION ? SMALL PACKAGE OUTLINE:1.2 mm x 0.8 mm ? LOW HEIGHT PROFILE:Just 0.50 mm high ? TWO DIFFERENT DIE TYPES: Q1 - Ideal buffer amplifier transistor Q2 - Ideal oscillator transistor ? IDEAL FOR 1-2 GHz OSCILLATORS |
| 描述与应用 |
特点 ?NEC的双晶体管NPN硅RF ?低电压，低电流操作 ?小型封装：1.2毫米x0.8毫米 ?外形高度低：仅0.50毫米高 ?两个不同的模具类型： Q1 - 非常缓冲放大器晶体管 Q2 - 非常振荡器晶体管 ?适用于1-2 GHz的振荡器 |
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