UPA828TD KL 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
5V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
3V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
30mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
11000MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
70~140 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
180mW |
| Description & Applications |
Features ? NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 ELEMENTS) IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG) ? Built-in low phase distortion transistor suited for OSC applications fT = 9.0 GHz TYP., ?S21e?2= 7.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz ? Built-in 2 transistors (2 ? NE687) ? 6-pin lead-less minimold (M16, 1208 PKG) |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN硅RF晶体管（具有2个元素）在一个6-pin铅低MINIMOLD（M16，1208 PKG） ?内置低相位失真晶体管适合OSC的应用 FT =9.0 GHz的TYP。?S21E?2=7.5 dB典型值。 @ VCE= 1 V，IC=10 mA时，F =2吉赫 NF= 1.3 dB（典型值）。 @ VCE= 1 V，IC =3毫安，F =2吉赫 ?内置2个晶体管（2?NE687） ?6针引线MINIMOLD（M16，1208 PKG） |
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