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UPA810T
 型号：  UPA810T
 标记/丝印/代码/打字：  24R
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-363/SC-88
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+NPN
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UPA810T 24R 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 12V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 4500MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 70~250
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 200mW
Description & Applications Features ? SMALL PACKAGE STYLE:2 NE856 Die in a 2 mm x 1.25 mm package ? LOW NOISE FIGURE:NF = 1.2 dB TYP at 1 GHz ? HIGH GAIN:|S21E|2 = 9.0 dB TYP at 1 GHz ? EXCELLENT LOW VOLTAGE, LOW CURRENT PERFORMANCE ? HIGH COLLECTOR CURRENT: 100 mA ? NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
描述与应用 特点 ?小包装风格：2 NE856模具在2毫米×1.25毫米封装 ?低噪声系数：NF= 1.2 dB（典型值）在1 GHz ?高增益：S21E|2= 9.0 dB（典型值）在1 GHz ?优异的低电压，低电流性能 ?高集电极电流：100毫安 ?NPN硅高频三极管
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