UPA802T R34 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
10V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
65mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
7000MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
70~150 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW |
| Description & Applications |
Features ? SILICON TRANSISTOR ? Low Noise NF = 1.4 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA ? High Gain |S21e|2 = 12 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA ? A Mini Mold Package Adopted ? Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4227) ? HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD |
| 描述与应用 |
特点 ?硅晶体管 ?低噪声NF=1.4 dB典型值。 @ F =1 GHz时，VCE=3 V，IC= 7毫安 ?高增益S21E|2=12 dB典型值。 @ F =1 GHz时，VCE=3 V，IC= 7毫安 ?通过一个小型模具包装 ?内置2晶体管（2×2SC4227） ?高频低噪声放大器 NPN硅外延晶体管迷你模具（带内置2个元素） |
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