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UPA675T
 型号:  UPA675T
 标记/丝印/代码/打字:  SA
 厂家:  NEC
 封装:  SOT-363/SC70-6
 批号:  05+
 库存数量:  2500
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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UPA675T SA 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 16V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 7V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 12?@ VGS = 4V, ID = 10mA
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.5~1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING DESCRIPTION The μ PA675T is an N-channel vertical MOS FET. Because it can be driven by a voltage as low as 1.5 V and it is not necessary to consider a drive current, this FET is ideal as an actuator for low-current portable systems such as headphone stereos and video cameras. FEATURES ? Two MOS FET circuits in package the same size as SC-70 ? Automatic mounting supported ? Gate can be driven by a 1.5 V power source ? Because of its high input impedance, there’s no need to consider a drive current ? Since bias resistance can be omitted, the number of components required can be reduced
描述与应用 N沟道MOS场效应晶体管 用于高速开关 说明 μPA675T是一个N沟道垂直MOS FET。因为它 可以由低至1.5 V的电压,这是不 必要考虑驱动电流,这FET是理想的作为 执行器的低电流的便携式系统,如耳机 音响和摄像机。 特点 ?两个MOS FET的软件包电路SC-70相同的尺寸 ?支持自动安装 ?门可以由一个1.5 V电源 ?由于其高输入阻抗,有没有必要考虑驱动电流 自偏压电阻可以省略,数量组件可以减少所需要
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