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UN2216-R
 型号:  UN2216-R
 标记/丝印/代码/打字:  8F.R
 厂家:  Panasonic
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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UN2216-R 8F.R 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 22KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 160
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 150MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 0.2W/200mW
Description & Applications Silicon NPN epitaxial planer transistr For digital circuits Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through tape packing and magazine packing.
描述与应用 NPN硅外延平面晶体管的 用于数字电路 特性 成本可降低通过减员设备和 减少部件的数量。 迷你型包装,使瘦身的设备和 通过自动插入磁带包装盒包装
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