UMW1 W1 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
180MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~560 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
400mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW |
| Description & Applications |
Features ? Emitter common (dual transistors) ? Two 2SC2412K chips in a UMT or SMT package. ? Mounting cost and area can be cut in half |
| 描述与应用 |
特点 ?发射极普通的（双晶体管） ?两个2SC2412K在城市轨道交通或SMT封装的芯片。 ?安装成本和面积可减少一半 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
